Vier-Quadranten-Si-PIN

Modell: GT111/ GT112/ GD3250Y/ GD3249Y/ GD3244Y/ GD3245Y/ GD32413Y/ GD32414Y/ GD32415Y

Kurze Beschreibung:

Es besteht aus vier gleichen Einheiten einer Si-PIN-Fotodiode, die rückwärts arbeitet und eine hohe Empfindlichkeit von UV bis NIR bietet.Die Peak-Response-Wellenlänge beträgt 980 nm.Empfindlichkeit: 0,5 A/W bei 1064 nm.

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Technische Parameter

Produkt Tags

Merkmale

Niedriger Dunkelstrom
Hohe Resonanz
Gute Quadrantenkonsistenz
Kleiner blinder Bereich

Anwendungen

Laserführung, Zielerfassung und Verfolgung
Für Erkundungsgerät
Lasermikropositionierung, Wegüberwachung und präzise Messsysteme

Photoelektrischer Parameter (bei Ta=25℃)

Artikel #	Paketkategorie	Durchmesser der lichtempfindlichen Oberfläche (mm)	Spektraler Antwortbereich (Nm)	Peak-Response-Wellenlänge	Reaktionsfähigkeit λ = 1064 nm (kV/W)	Dunkle Strömung (n / a)	Steigende Zeit λ = 1064 nm R_L=50Ω(ns)	Sperrschichtkapazität f=1 MHz (pF)	Die Spannung unterbrechen (V)
GT111	ZU-8	Ф4	400 ~ 1100	980	0,3	5 (V_R=40V)	15 (V_R=40V)	5 (V_R=10V)	100
GT112		Ф6				7 (V_R=40V)	20 (V_R=40V)	7 (V_R=10V)
GD3250Y		Ф8				10 (V_R=40V)	25 (V_R=40V)	10 (V_R=10V)
GD3249Y	ZU-20	Ф10				15 (V_R=40V)	30 (V_R=40V)	15 (V_R=10V)
GD3244Y	TO-31-7	Ф10			0,4	20 (V_R=135V)	20 (V_R=135V)	10 (V_R=135V)	300
GD3245Y	TO-31-7	Ф16				50 (v_R=135V)	30 (V_R=135V)	20 (V_R=135V)
GD32413Y	MBCY026-P6	Ф14				40 (V_R=135V)	25 (V_R=135V)	16 (V_R=135V)
GD32414Y	ZU-8	Ф5.3	400~1150		0,5	4.8 (V_R=140V)	15 (V_R=140V)	4.2 (V_R=140V)	≥300
GD32415Y	MBCY026-W7W	Ф11.3	400~1150		0,5	≤20(V_R=180V)	20 (V_R=180V)	10 (V_R=180V)	≥300