850-nm-Si-PIN-Module

Modell: GD4213Y/ GD4251Y/ GD4251Y-A/ GD42121Y

Kurze Beschreibung:

Es handelt sich um ein 850-nm-Si-PIN-Fotodiodenmodul mit Vorverstärkungsschaltung, die es ermöglicht, ein schwaches Stromsignal zu verstärken und in ein Spannungssignal umzuwandeln, um den Umwandlungsprozess der Photonen-Fotosignal-Verstärkung zu erreichen.

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Technische Parameter

Produkt Tags

Merkmale

Schnelle Reaktion
Hohe Empfindlichkeit

Anwendungen

Lasersicherung

Photoelektrischer Parameter（@Ta=22±3℃）

Artikel #	Paketkategorie	Durchmesser der lichtempfindlichen Oberfläche (mm)	Reaktionsfähigkeit	Steigende Zeit (ns)	Dynamikbereich （dB）	Betriebsspannung (V)	Rauschspannung (mV)	Anmerkungen
Artikel #	Paketkategorie	Durchmesser der lichtempfindlichen Oberfläche (mm)	λ=850nm，φ_e=1 μW		λ = 850 nm	Betriebsspannung (V)	Rauschspannung (mV)	Anmerkungen
GD4213Y	ZU-8	2	110	12	20	±5±0,3	12	-
GD4251Y		2	130	12	20	±6±0,3	40	(Einfallswinkel: 0°, Transmission von 830nm~910nm ≥90%
GD4251Y-A		10 × 1,5	130	18	20	±6±0,3	40
GD42121Y		10 × 0,95	110	20	20	±5±0,1	25
Hinweise: Die Testlast des GD4213Y beträgt 50 Ω, die anderen 1 MΩ