800-nm-APD
Merkmale
- Frontseitig beleuchteter Flachchip
- Schnelle Reaktion
- Hohe APD-Verstärkung
- Niedrige Sperrschichtkapazität
- Wenig Lärm
Anwendungen
- Laserentfernung
- Laserradar
- Laserwarnung
Photoelektrischer Parameter（@Ta=22±3℃）
| Artikel # | Paketkategorie | Durchmesser der lichtempfindlichen Oberfläche (mm) | Spektraler Antwortbereich (nm) |
Peak-Response-Wellenlänge | Reaktionsfähigkeit λ=800nm φe=1μW M=100 (F/W) | Reaktionszeit λ=800nm RL=50Ω （ns） | Dunkle Strömung M=100 (n / a) | Temperaturkoeffizient Ta=-40℃～85℃ （V/℃）
| Gesamtkapazität M=100 f=1 MHz （pF）
| Die Spannung unterbrechen IR=10 μA (V) | ||
| Typ. | max. | Mindest | max | |||||||||
| GD5210Y-1-2-TO46 | ZU-46 | 0,23 |
400 ~ 1100
|
800 |
55
|
0,3 | 0,05 | 0,2 | 0,5 | 1.5 | 80 | 160 |
| GD5210Y-1-5-TO46 | ZU-46 | 0,50 | 0,10 | 0,4 | 3.0 | |||||||
| GD5210Y-1-2-LCC3 | LCC3 | 0,23 | 0,05 | 0,2 | 1.5 | |||||||
| GD5210Y-1-5-LCC3 | LCC3 | 0,50 | 0,10 | 0,4 | 3.0 | |||||||
