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905-nm-APD

905-nm-APD

Modell: GD5210Y-2-2-TO46/ GD5210Y-2-5-TO46/ GD5210Y-2-8-TO46/ GD5210Y-2-2-LCC3/ GD5210Y-2-5-LCC3/ GD5210Y-2-2-P/ GD5210Y-2-5-P/ Array

Kurze Beschreibung:

Es ist eine Si-Avalanche-Fotodiode, die eine hohe Empfindlichkeit im Bereich von UV bis NIR bietet.Die Peak-Response-Wellenlänge beträgt 905 nm.


  • f614effe
  • 6dac49b1
  • 46bbb79b
  • 374a78c3

Technische Parameter

Produkt Tags

Merkmale

  • Frontseitig beleuchteter Flachchip
  • Schnelle Reaktion
  • Hohe APD-Verstärkung
  • Niedrige Sperrschichtkapazität
  • Wenig Lärm
  • Array-Größe und lichtempfindliche Oberfläche können angepasst werden.

Anwendungen

  • Laserentfernung
  • Laserradar
  • Laserwarnung

Photoelektrischer Parameter(@Ta=22±3℃)

Artikel #

Paketkategorie

Durchmesser der lichtempfindlichen Oberfläche (mm)

Spektraler Antwortbereich (nm)

 

Peak-Response-Wellenlänge

(Nm)

Reaktionsfähigkeit

λ=905nm

φe=1μW

M=100

(F/W)

Reaktionszeit

λ=905nm

RL=50Ω

(ns)

Dunkle Strömung

M=100

(n / a)

Temperaturkoeffizient

Ta=-40℃~85℃

(V/℃)

 

Gesamtkapazität

M=100

f=1 MHz

(pF)

 

Nervenzusammenbruch

Stromspannung

IR=10 μA

(V)

Typ.

max.

Mindest

max

GD5210Y-2-2-TO46

ZU-46

0,23

 

 

 

 

 

 

400 ~ 1100

 

 

 

 

 

 

 

905

 

 

 

 

55

 

 

 

 

 

 

 

0,6

0,2

1.0

0,9

1.0

130

220

GD5210Y-2-5-TO46

ZU-46

0,50

0,4

1.0

1.2

GD5210Y-2-8-TO46

ZU-46

0,80

0,8

2.0

2.0

GD5210Y-2-2-LCC3

LCC3

0,23

0,2

1.0

1.0

GD5210Y-2-5-LCC3

LCC3

0,50

0,4

1.0

1.2

GD5210Y-2-2-P

Verpackung aus Kunststoff

0,23

0,2

1.0

1.0

GD5210Y-2-5-P

Verpackung aus Kunststoff

0,50

0,4

1.0

1.2

Array

Leiterplatte

Angepasst

Je nach lichtempfindlicher Oberfläche

Je nach lichtempfindlicher Oberfläche

 

Je nach lichtempfindlicher Oberfläche

160

200


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