Das Gerät ist eine UV-verbesserte Silizium-PIN-Fotodiode, die unter Sperrvorspannungsbedingungen arbeitet.
Die spektrale Empfindlichkeit reicht von Ultraviolett bis Nahinfrarot.Die Wellenlänge der Spitzenreaktion beträgt 800 nm, und die Reaktion kann 0,15 A/W bei 340 nm erreichen.