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355-nm-APD

355-nm-APD

Modell: GD5210Y-0-1-TO5/ GD5210Y-0-2-TO5

Kurze Beschreibung:

Es ist eine Si-Avalanche-Fotodiode mit großer lichtempfindlicher Oberfläche und verbessertem UV.Es bietet eine hohe Empfindlichkeit von UV bis NIR.


  • f614effe
  • 6dac49b1
  • 46bbb79b
  • 374a78c3

Technische Parameter

Produkt Tags

Merkmale

  • Frontseitig beleuchteter Flachchip
  • Schnelle Reaktion
  • Hohe APD-Verstärkung

Anwendungen

  • Medizinisch
  • Biologie

Photoelektrischer Parameter(@Ta=22±3℃)

Artikel #

Paketkategorie

Durchmesser der lichtempfindlichen Oberfläche (mm)

Spektraler Antwortbereich (nm)

Reaktionsfähigkeit

λ=355nm

φe=1 μW

M=100

(F/W)

Dunkle Strömung

M=100

(n / a)

Temperaturkoeffizient

Ta=-40℃~85℃

(V/℃)

 

Gesamtkapazität

M=100

f=1 MHz

(pF)

 

Nervenzusammenbruch

Stromspannung

IR = 10 μA

(V)

VR=10V

VR=8V

Typ.

max.

Mindest.

max.

GD5210Y-0-1-TO5

ZU-5

1.8

300 ~ 1100

0,22

6.75

3

10

0,4

20

80

200

GD5210Y-0-2-TO5

ZU-5

3.0

15

50

50


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