1064 nm APD-Module

Modell: GD6212Y/ GD6213Y/ GD6219Y

Kurze Beschreibung:

Es handelt sich um ein verbessertes Si-Avalanche-Fotodiodenmodul mit Vorverstärkungsschaltung, die es ermöglicht, ein schwaches Stromsignal zu verstärken und in ein Spannungssignal umzuwandeln, um den Umwandlungsprozess der Photonen-Fotosignal-Verstärkung zu erreichen.

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Technische Parameter

Produkt Tags

Merkmale

Frontseitig beleuchteter Flachchip
Schnelle Reaktion
Hohe APD-Verstärkung

Anwendungen

Laserentfernung
Laserkommunikation
Laserwarnung

Photoelektrischer Parameter（@Ta=22±3℃）

Artikel #	Paketkategorie	Durchmesser der lichtempfindlichen Oberfläche (mm)	Spektraler Antwortbereich (Nm)	Die Spannung unterbrechen (V)	Reaktionsfähigkeit M=100 λ = 1064 nm (kV/W)	Steigende Zeit （ns）	Bandbreite (MHz)	Temperaturkoeffizient Ta=-40℃～85℃ （V/℃）	Rauschäquivalente Leistung (pW/√Hz)	Konzentrizität (μm)	Ersetzter Typ in anderen Ländern
GD6212Y	ZU-8	0,8	40~1100	350 ~ 500	150	8.8	40	2.2	0,15	≤50	C30950
GD6213Y		0,8			200	2	175	2.2	0,15		C30659-1060-R8BH
GD6219Y		3			280	7	50	2.4	0,27		C30659-1060-3A