905-nmAPD-Einzelröhrenserie

Modell: GD5210Y-2-2-T046 / GD5210Y-2-5-T046 / GD5210Y-2-8-T046 / GD5210Y-2-2-LCC3 / GD5210Y-2-5-LCC3 / GD5210Y-2-2-P / GD5210Y-2-5-P

Kurze Beschreibung:

Das Gerät ist eine Silizium-Avalanche-Fotodiode, die spektrale Empfindlichkeit reicht von sichtbarem Licht bis zum nahen Infrarot, und die Wellenlänge der Spitzenreaktion beträgt 905 nm.

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Technische Parameter

MERKMALE

ANWENDUNG

Produkt Tags

Photoelektrische Eigenschaften (＠Ta＝22±3℃)
Modell		GD5210Y-2-2-T046	GD5210Y-2-5-T046	GD5210Y-2-8-T046	GD5210Y-2-2-LCC3	GD5210Y-2-5-LCC3	GD5210Y-2-2-P	GD5210Y-2-5-P	Array
Paketformular		ZU-46	ZU-46	ZU-46	LCC3	LCC3	Kunststoffverpackungen	Kunststoffverpackungen	Leiterplatte
Durchmesser der lichtempfindlichen Oberfläche (mm)		0,23	0,50	0,80	0,23	0,50	0,23	0,50	angepasst
Spektraler Reaktionsbereich (nm)		400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100
Peak-Response-Wellenlänge (nm)		905	905	905	905	905	905	905	905
Empfänglichkeit λ=905nm Φ=1μW M=100 (A/W)		55	55	55	55	55	55	55	55
Dunkelstrom M=100(nA)	Typisch	0,2	0,4	0,8	0,2	0,4	0,2	0,4	Je nach Lichtempfindlichkeit
Dunkelstrom M=100(nA)	Maximal	1.0	1.0	2.0	1.0	1.0	1.0	1.0	Eine Seite
Reaktionszeit λ=905nm R1=50Ω(ns)		0,6	0,6	0,6	0,6	0,6	0,6	0,6	Je nach lichtempfindlicher Oberfläche
Temperaturkoeffizient der Arbeitsspannung T = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V / ℃)		0,9	0,9	0,9	0,9	0,9	0,9	0,9	0,9
Gesamtkapazität M=100 f=1MHz(pF)		1.0	1.2	2.0	1.0	1.2	1.0	1.2	Je nach lichtempfindlicher Oberfläche
Die Spannung unterbrechen IR=10μA(V)	Minimum	130	130	130	130	130	130	130	160
Die Spannung unterbrechen IR=10μA(V)	Maximal	220	220	220	220	220	220	220	200

Vorherige: 800-nmAPD-Einzelröhrenserie

Nächste: 1064-nmAPD-Einzelröhrenserie

Frontplane-Chipstruktur

Hochgeschwindigkeitsreaktion

Hoher Gewinn

Niedrige Sperrschichtkapazität

Wenig Lärm

Array-Größe und lichtempfindliche Oberfläche können angepasst werden

Laserentfernung

Lidar

Laserwarnung