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800-nmAPD-Einzelröhrenserie

800-nmAPD-Einzelröhrenserie

Modell: GD5210Y-1-2-T046 / GD5210Y-1-5-T046 / GD5210Y-1-2-LCC3 / GD5210Y-1-5 -LCC3

Kurze Beschreibung:

Das Gerät ist eine Silizium-Avalanche-Fotodiode, die spektrale Empfindlichkeit reicht von sichtbarem Licht bis zum nahen Infrarot, und die Wellenlänge der Spitzenreaktion beträgt 800 nm.


  • f614effe
  • 6dac49b1
  • 46bbb79b
  • 374a78c3

Technische Parameter

MERKMALE

ANWENDUNG

Produkt Tags

Photoelektrische Eigenschaften (@Ta=22±3)

Modell

GD5210Y-1-2-T046

GD5210Y-1-5-T046

GD5210Y-1-2-LCC3

GD5210Y-1-5

-LCC3

Paketformular

ZU-46

ZU-46

LCC3

LCC3

Durchmesser der lichtempfindlichen Oberfläche (mm)

0,23

0,50

0,23

0,50

Spektraler Reaktionsbereich (nm)

400~1100

400~1100

400~1100

400~1100

Peak-Response-Wellenlänge (nm)

800

800

800

800

λ=800nm ​​Φ=1μW M=100(A/W)

55

55

55

55

Dunkle Strömung

Typisch

0,05

0,10

0,05

0,10

M=100(nA)

Maximal

0,2

0,4

0,2

0,4

Ansprechzeit λ=800nm ​​R1=50Ω(ns)

0,3

0,3

0,3

0,3

Temperaturkoeffizient der Arbeitsspannung T = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V / ℃)

0,5

0,5

0,5

0,5

Gesamtkapazität M=100 f=1MHz(pF)

1.5

3.0

1.5

3.0

Durchbruchspannung IR=10μA(V)

Minimum

80

80

80

80

Maximal

160

160

160

160


  • Vorherige:
  • Nächste:

  • Frontplane-Chipstruktur

    Hochgeschwindigkeitsreaktion

    Hoher Gewinn

    Niedrige Sperrschichtkapazität

    Wenig Lärm

    Laserentfernung

    Lidar

    Laserwarnung