1064nmAPD-Modulserie

Modell: GD6212Y / GD6213Y / GD6219Y

Kurze Beschreibung:

Das Gerät ist ein verbessertes 1064-nm-Silizium-Avalanche-Fotodiodenmodul mit einer eingebauten Vorverstärkerschaltung, die schwache Stromsignale verstärken und in Spannungssignalausgänge umwandeln kann, wodurch der Umwandlungsprozess der „optisch-elektrischen Signalverstärkung“ realisiert wird.

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Technische Parameter

MERKMALE

ANWENDUNG

Produkt Tags

Photoelektrische Eigenschaften (＠Ta＝22±3℃)
Modell	GD6212Y	GD6213Y	GD6219Y
Paketformular	ZU-8	ZU-8	ZU-8
Durchmesser der lichtempfindlichen Oberfläche (mm)	0,8	0,8	3
Spektraler Reaktionsbereich (nm)	400~1100	400~1100	400~1100
Durchbruchspannung (V)	350~500	350~500	350~500
Empfindlichkeit M=100 I=1064nm(kV/W)	150	200	280
Anstiegszeit (ns)	8.8	2	7
Bandbreite (MHz)	40	175	50
Äquivalente Rauschleistung (pW/√Hz)	0,15	0,15	2.7
Temperaturkoeffizient der Arbeitsspannung T = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V / ℃)	2.2	2.2	2.4
Konzentrizität (μm)	≤50	≤50	≤50
Alternative Modelle mit gleicher Leistung weltweit	C30950	C30659-1060-R8BH	C30659-1060-3A

Frontplane-Chipstruktur

Hohe Antwortfrequenz

Hohe Detektorempfindlichkeit

Laser-Entfernungsmessung

Lidar

Laserwarnung