InGaAS-APD-Modulserie
Photoelektrische Eigenschaften (@Ta=22±3℃) | |||
Modell | GD6510Y | GD6511Y | GD6512Y |
Paketformular | ZU-8 | ZU-8 | ZU-8 |
Durchmesser der lichtempfindlichen Oberfläche (mm) | 0,2 | 0,5 | 0,08 |
Spektraler Reaktionsbereich (nm) | 1000~1700 | 1000~1700 | 1000~1700 |
Durchbruchspannung (V) | 30~70 | 30~70 | 30~70 |
Empfindlichkeit M=10 l=1550nm(kV/W) | 340 | 340 | 340 |
Anstiegszeit (ns) | 5 | 10 | 2.3 |
Bandbreite (MHz) | 70 | 35 | 150 |
Äquivalente Rauschleistung (pW/√Hz) | 0,15 | 0,21 | 0,11 |
Temperaturkoeffizient der Arbeitsspannung T = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V / ℃) | 0,12 | 0,12 | 0,12 |
Konzentrizität (μm) | ≤50 | ≤50 | ≤50 |
Alternative Modelle mit gleicher Leistung weltweit | C3059-1550-R2A | / | C3059-1550-R08B |
Frontplane-Chipstruktur
Schnelle Antwort
Hohe Detektorempfindlichkeit
Laser-Entfernungsmessung
Lidar
Laserwarnung
Frontplane-Chipstruktur
Schnelle Antwort
Hohe Detektorempfindlichkeit
Laser-Entfernungsmessung
Lidar
Laserwarnung