Vier-Quadranten-PIN-Einzelröhrenserie

Modell: GT111 / GT112 / GD3250Y / GD3249Y / GD3244Y / GD3245Y / GD32413Y / GD32414Y / GD32415Y

Kurze Beschreibung:

Das Gerät besteht aus vier Silizium-PIN-Fotodioden mit derselben Einheit, die unter Sperrvorspannung arbeiten, die spektrale Reaktion reicht von sichtbarem Licht bis nahes Infrarot, die Spitzenreaktionswellenlänge beträgt 980 nm und die Reaktion bei 1064 nm kann bis zu 0,5 A erreichen /W.

Erhalten Sie Zitat Herunterladen

Technische Parameter

MERKMALE

ANWENDUNG

Produkt Tags

Photoelektrische Eigenschaften (＠Ta＝22±3℃)
Modell	GT111	GT112	GD3250Y	GD3249Y	GD3244Y	GD3245Y	GD32413Y	GD32414Y	GD32415Y
Paketformular	ZU-8	ZU-8	ZU-8	TO-20	TO-31-7	TO-31-7	MBCY026-P6	ZU-8	MBCY026-W7W
Größe der lichtempfindlichen Oberfläche (mm)	Φ4	Φ6	Φ8	Φ10	Φ10	Φ16	Φ14	Φ5,3	Φ11,3
Spektraler Reaktionsbereich (nm)	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1150	400~1150
Peak-Response-Wellenlänge (nm)	980	980	980	980	980	980	980	980	980
Empfindlichkeit λ=1064nm(A/W)	0,3	0,3	0,3	0,3	0,4	0,4	0,4	0,5	0,5
Dunkelstrom (nA)	5 (V_R=40V)	7 (V_R=40V)	10 (V_R=40V)	15 (V_R=40V)	20 (V_R=135V)	50 (v_R=135V)	40 (V_R=135V)	4.8 (V_R=140V)	≤20(V_R=180V)
Anstiegszeit In = 1064 nm RL = 50 Ω (ns)	15 (V_R=40V)	20 (V_R=40V)	25 (V_R=40V)	30 (V_R=40V)	20 (V_R=135V)	30 (V_R=135V)	25 (V_R=135V)	15 (V_R=140V)	20 (V_R=180V)
Sperrschichtkapazität f=1MHz(pF)	5 (V_R=10V)	7 (V_R=10V)	10 (V_R=10V)	15 (V_R=10V)	10 (V_R=135V)	10 (V_R=135V)	16 (V_R=135V)	4.2 (V_R=140V)	10 (V_R=180V)
Durchbruchspannung (V)	100	100	100	100	300	300	300	≥300	≥250

Niedriger Dunkelstrom

Hohe Reaktionsfähigkeit

Gute Quadrantenkonsistenz

Kleiner blinder Fleck

Laser-Ziel-, Führungs-, Verfolgungs- und Erkundungsgerät

Laser-Mikropositionierung, Wegüberwachung und andere Präzisionsmesssysteme